Molecular Flow Module

Nova aplicação: Avaliador de Implantador de Íons

Essa aplicação examina a densidade numérica, a pressão e o fluxo molecular no interior de um dispositivo de implantação de íons. O ângulo da pastilha, a composição química, a temperatura, a taxa de desgaseificação e as velocidades de bombeamento são todas entradas. Os resultados visuais incluem representações 3D da densidade numérica, enquanto os resultados analíticos oferecem a densidade numérica média ao longo da trajetória do feixe.

Captura de tela de uma aplicação Avaliador de Implantador de Íons mostrando a distribuição da densidade numérica por todo o dispositivo e sua média ao longo da trajetória do feixe. Captura de tela de uma aplicação Avaliador de Implantador de Íons mostrando a distribuição da densidade numérica por todo o dispositivo e sua média ao longo da trajetória do feixe.

Captura de tela de uma aplicação Avaliador de Implantador de Íons mostrando a distribuição da densidade numérica por todo o dispositivo e sua média ao longo da trajetória do feixe.

Aprimoramentos numéricos para cálculos de fluxo molecular livre mais rápidos

A interface Fluxo Molecular Livre é paralelizada de maneira mais eficaz, permitindo que mais núcleos sejam usados com eficácia durante a computação. A tabela abaixo mostra como três modelos de tutorial foram executados com muito mais rapidez no COMSOL Multiphysics 5.1 em comparação com a versão anterior. Uma máquina de 10 núcleos foi utilizada para executar as simulações.

Aprimoramentos de desempenho em modelos selecionados da Biblioteca de Aplicações.
Tutorial Tempo da CPU (5.0) Tempo da CPU (5.1) Aceleração
Evaporador 2h24m4s 18m31s 7.8
Tubos de desgaseificação 2m57s 45s 3.9
Implantador de Íons 5m15s 2m1s 2.6

Múltiplas espécies para fluxo molecular

Agora é possível modelar múltiplas espécies na interface Fluxo Molecular Livre.

Nova opção para especificar a taxa de desgaseificação

A taxa de desgaseificação agora pode ser especificada em unidades de [(torr * l)/cm^2/s] ou [(mbar * l)/cm^2/s] (a unidade SI equivalente é W/m2). Agora é possível usar essas unidades no novo recurso de taxa de Dessorção térmica quando a opção de parede de Desgaseificação estiver selecionada na condição de contorno Parede.

Novo Tutorial: Deposição de vapor químico a vácuo ultra-alto

A deposição de vapor químico (CVD) é um processo usado com frequência na indústria de semicondutores para expandir camadas de material sólido de alta pureza no topo de um substrato de pastilha. A CVD é obtida usando muitas técnicas diferentes e em uma variedade de pressões, desde atmosférica até vácuo ultra-alto (UHV/CVD). Como a UHV/CVD é executada a pressões abaixo de 10-6 Pa (10-8 Torr), o transporte do gás é alcançado com fluxo molecular e não possui nenhum efeito hidrodinâmico, como camadas de contorno. Além disso, sem nenhuma química de fase gasosa envolvida (devido à baixa frequência das colisões moleculares), a taxa de expansão será determinada pela densidade numérica das espécies e dos processos de decomposição molecular superficial.

Esse tutorial usa múltiplas espécies na interface Fluxo Molecular Livre para modelar a expansão de pastilhas de silício a partir de CVD. Os efeitos de diferentes curvas de bombeamento são explorados após a execução de uma varredura auxiliar.

A representação mostra a fração de fluxo molecular de SiH4 da gaveta da pastilha durante a Deposição de Vapor Químico a Vácuo Ultra-Alto. A representação mostra a fração de fluxo molecular de SiH4 da gaveta da pastilha durante a Deposição de Vapor Químico a Vácuo Ultra-Alto.

A representação mostra a fração de fluxo molecular de SiH4 da gaveta da pastilha durante a Deposição de Vapor Químico a Vácuo Ultra-Alto.