Molecular Flow Module
Nova aplicação: Avaliador de Implantador de Íons
Essa aplicação examina a densidade numérica, a pressão e o fluxo molecular no interior de um dispositivo de implantação de íons. O ângulo da pastilha, a composição química, a temperatura, a taxa de desgaseificação e as velocidades de bombeamento são todas entradas. Os resultados visuais incluem representações 3D da densidade numérica, enquanto os resultados analíticos oferecem a densidade numérica média ao longo da trajetória do feixe.
Captura de tela de uma aplicação Avaliador de Implantador de Íons mostrando a distribuição da densidade numérica por todo o dispositivo e sua média ao longo da trajetória do feixe.
Captura de tela de uma aplicação Avaliador de Implantador de Íons mostrando a distribuição da densidade numérica por todo o dispositivo e sua média ao longo da trajetória do feixe.
Aprimoramentos numéricos para cálculos de fluxo molecular livre mais rápidos
A interface Fluxo Molecular Livre é paralelizada de maneira mais eficaz, permitindo que mais núcleos sejam usados com eficácia durante a computação. A tabela abaixo mostra como três modelos de tutorial foram executados com muito mais rapidez no COMSOL Multiphysics 5.1 em comparação com a versão anterior. Uma máquina de 10 núcleos foi utilizada para executar as simulações.
| Tutorial | Tempo da CPU (5.0) | Tempo da CPU (5.1) | Aceleração |
| Evaporador | 2h24m4s | 18m31s | 7.8 |
| Tubos de desgaseificação | 2m57s | 45s | 3.9 |
| Implantador de Íons | 5m15s | 2m1s | 2.6 |
Múltiplas espécies para fluxo molecular
Agora é possível modelar múltiplas espécies na interface Fluxo Molecular Livre.
Nova opção para especificar a taxa de desgaseificação
A taxa de desgaseificação agora pode ser especificada em unidades de [(torr * l)/cm^2/s] ou [(mbar * l)/cm^2/s] (a unidade SI equivalente é W/m2). Agora é possível usar essas unidades no novo recurso de taxa de Dessorção térmica quando a opção de parede de Desgaseificação estiver selecionada na condição de contorno Parede.
Novo Tutorial: Deposição de vapor químico a vácuo ultra-alto
A deposição de vapor químico (CVD) é um processo usado com frequência na indústria de semicondutores para expandir camadas de material sólido de alta pureza no topo de um substrato de pastilha. A CVD é obtida usando muitas técnicas diferentes e em uma variedade de pressões, desde atmosférica até vácuo ultra-alto (UHV/CVD). Como a UHV/CVD é executada a pressões abaixo de 10-6 Pa (10-8 Torr), o transporte do gás é alcançado com fluxo molecular e não possui nenhum efeito hidrodinâmico, como camadas de contorno. Além disso, sem nenhuma química de fase gasosa envolvida (devido à baixa frequência das colisões moleculares), a taxa de expansão será determinada pela densidade numérica das espécies e dos processos de decomposição molecular superficial.
Esse tutorial usa múltiplas espécies na interface Fluxo Molecular Livre para modelar a expansão de pastilhas de silício a partir de CVD. Os efeitos de diferentes curvas de bombeamento são explorados após a execução de uma varredura auxiliar.
A representação mostra a fração de fluxo molecular de SiH4 da gaveta da pastilha durante a Deposição de Vapor Químico a Vácuo Ultra-Alto.
A representação mostra a fração de fluxo molecular de SiH4 da gaveta da pastilha durante a Deposição de Vapor Químico a Vácuo Ultra-Alto.