Semiconductor Module

Nova aplicação: LED Ajustável de Comprimento de Onda

A nova aplicação de LED Ajustável de Comprimento de Onda simula às propriedades de emissão de um dispositivo de díodo emissor de luz (LED) baseado em GaN. O dispositivo tem um projeto duplo de heteroestrutura, com uma camada InGaN opticamente ativa posicionada entre duas camadas de GaN. A composição de índio da camada InGaN pode ser variada para controlar o comprimento de onda de emissão. A corrente, a intensidade e a eficácia do dispositivo são todas calculadas, seja para uma voltagem única ou como uma função de voltagem ao longo de um intervalo definido pelo usuário. O espectro de emissão é calculado e, quando a emissão de pico recai no intervalo viável, o valor RGB correspondente é computado, exibindo a cor da emissão.

Captura de tela da aplicação LED Ajustável de Comprimento de Onda mostrando o espectro e a cor da emissão após uma simulação bem-sucedida. Captura de tela da aplicação LED Ajustável de Comprimento de Onda mostrando o espectro e a cor da emissão após uma simulação bem-sucedida.

Captura de tela da aplicação LED Ajustável de Comprimento de Onda mostrando o espectro e a cor da emissão após uma simulação bem-sucedida.

Transições Ópticas Indiretas

A absorção óptica em silício e em outros materiais de banda proibida indiretos agora pode ser modelada usando o novo recurso de Transição Óptica Indireta. A taxa de fotogeração em silício pode ser calculada automaticamente usando um modelo empírico – tornando rápido e conveniente simular dispositivos fotovoltaicos de silício. Alternativamente, para outros materiais, uma opção definida pelo usuário possibilita que a taxa de fotogeração seja especificada usando o índice de refração ou um valor para o coeficiente de absorção. Esse recurso de Transição Óptica Indireta pode ser usado como um recurso independente na interface Semicondutor ou em conjunto com as interfaces Ondas Eletromagnéticas, Domínio de Frequência ou Ondas Eletromagnéticas, Envelopes de Feixes (requer o Wave Optics Module).

(a) As configurações principais para Transições Ópticas Indiretas. Há duas opções na lista de modelos de Transições: Absorção de silício empírica (Green e Keeves) e Absorção definida pelo usuário. O modelo empírico não requer nenhuma entrada adicional se o campo eletromagnético estiver sendo calculado em uma interface Ondas Eletromagnéticas. (a) As configurações principais para Transições Ópticas Indiretas. Há duas opções na lista de modelos de Transições: Absorção de silício empírica (Green e Keeves) e Absorção definida pelo usuário. O modelo empírico não requer nenhuma entrada adicional se o campo eletromagnético estiver sendo calculado em uma interface Ondas Eletromagnéticas.

(a) As configurações principais para Transições Ópticas Indiretas. Há duas opções na lista de modelos de Transições: Absorção de silício empírica (Green e Keeves) e Absorção definida pelo usuário. O modelo empírico não requer nenhuma entrada adicional se o campo eletromagnético estiver sendo calculado em uma interface Ondas Eletromagnéticas.

Material diamante adicionado à Biblioteca de Materiais Semicondutores

O diamante agora está disponível como material na Biblioteca de Materiais Semicondutores.

Variáveis de pós-processamento aprimoradas para emissão espontânea

Novas variáveis de pós-processamento foram adicionadas, permitindo que o espectro de emissão espontânea seja representado como uma função de energia, comprimento de onda e frequência de fótons. Além disso, agora é possível acessar diretamente as variáveis de energia, comprimento de onda e frequência de fótons por meio da dimensão extra adicionada pelo recurso de transições ópticas, quando anteriormente essas quantidades precisavam ser calculadas usando uma expressão nos termos da frequência angular.